用戶在升級記憶體過程中,最苦惱的想必就是容量與記憶體條數的選擇。目前的DDR記憶體規格主要以單條256M、單條512M、單條1024M為主,如果要組建雙通道則是256M×2、512M×2或是1024M×2。這×2可就決定了投入的翻倍,所帶來的性能提升是否真的值得呢?
最早引入「雙通道」概念的Rambus平台雙通道記憶體技術已經在目前Intel和AMD平台得到了廣泛普及,除去Socket 754 K8處理器之外,已經很難在市場上見到僅支持單通道記憶體的主流平台。雙通道記憶體技術之所以出現,是為了提高記憶體傳輸位寬。雙通道記憶體技術最初是從Rambus RDRAM記憶體開始的。Rambus記憶體雖說運行速度快,但是總線寬度卻比SDRAM記憶體還要小,因此它不得不結合Intel的雙通道記憶體控制技術以提高帶寬,以滿足P4處理器的需要。不過Rambus生產成本過高的原因,逐步被市場淘汰,這就使得雙通道技術能在DDR記憶體上發揚光大。
雙通道記憶體對集成顯示芯片性能提升明顯雙通道記憶體技術的核心原理是記憶體控制器可以在兩個不同的資料通道上,對採用兩條運行頻率相同的記憶體,同時進行資料的讀取寫入資料。記憶體位寬就由單條的64bit達到了128bit,所提供的帶寬就是原來的兩倍。這樣一來,哪怕前端總線是1066MHz的酷睿處理器也能得到充足的記憶體帶寬。不僅如此,那些採用共享系統記憶體的顯示芯片,也可在在記憶體使用雙通道模式的時候,實現128bit記憶體應用,隨之而來的自然是圖形處理性能的明顯提升。
nForce2平台雙通道技術在雙通道記憶體的實現方法上,不同的芯片組也有著截然不同的技術。早期的nForce2芯片組採用了兩個獨立的記憶體控制器,分別控制兩個不同的通道。這樣每個通道的記憶體模組的容量就可以不同,這也就是大多數nForce2主板有三個記憶體插槽的原因。但由於採用了雙控制器結構,運行時會產生記憶體地址轉換上的延遲或衝突,這就使得nForce2的雙通道性能優勢並不明顯。
AMD K8處理器記憶體控制器結構相比之下,Intel和K8的雙通道記憶體控制器就簡單許多。此類記憶體控制器直接採用了一個128bit控制單元來提升位寬。由於此控制單元給兩個通道記憶體的尋址指令是一模一樣的,從而也要求組成雙通道的記憶體模組的容量、位寬以及延遲必須完全一樣;如果使用不同狀態的記憶體條,單個記憶體控制器是無法發出兩套不同指令給予支持。
兩條記憶體實現的雙通道性能比一條記憶體單通道強多少?這部分性能值得我們花錢購買嗎?下面,我們就以直觀的對比測試來為大家展現,雙通道和單通道之間的性能差異。