記憶體參數優化! DFI NF4 BIOS調試教學

    同樣的CPU，同樣的頻率設置，為什麼別人的運行效率就比我的高呢？為什麼高手能以較低CPU頻率跑出更好的測試成績呢？問題的關鍵就是記憶體參數的調校。在一般的超頻中，只會調整一些基本參數，比如某超頻報告中會說到記憶體運行狀態為「520MHz、3-4-4-8 1T」，那麼除頻率外後5個數字就是基本參數。還有一系列參數被稱之為「小參」，能起到輔助調節作用，當調節基參後仍無法提高頻率，或者性能提升不明顯後，調整「小參」往往會得到令人意外的驚喜。以下我們根據基本參數與小參分別介紹調校方法。

    目前的記憶體還是使用類電容原理來儲存資料，需要有充放電的過程，這個過程所帶來的延遲是不可避免的。在BIOS中，所有關於記憶體調節的參數其實都是在調整這個充放電的時序。受顆粒品質影響，每種記憶體的參數幾乎都不完全一樣。面對這些參數，我們必須先瞭解其原理才能在以後的調節中做到信手拈來。以下我們講解一些重點參數的含義。

    CL全稱CAS Latency，是資料從儲存設備中輸出記憶體顆粒的接口之間所使用的時間。一般而言是越短越好，但受於製造技術和記憶體控制器所限，目前的最佳值是2。

    從圖中，我們能夠直觀的看到CL值變化，對資料處理的影響。雖說在單週期內的等待的時間並不長；但在實際使用時，記憶體每秒要400M次以上的週期循環，此時的性能影響就相當明顯了。