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芯片工藝進步 美光34nm封裝16GB出樣

    {泡泡網記憶體頻道2月17日] 美光公司上週末宣佈,推出業界儲存密度最高的多芯片堆疊封裝(MCP) NAND閃存產品,在一顆手機閃存芯片內堆疊封裝8塊芯片,總容量超過16GB。

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該方案在一顆芯片中,封裝了以下組件:

    e-MMC閃存系統,包括一個控制器和四顆32Gb 34nm MLC閃存顆粒,可以為手機提供高達16GB的大容量儲存空間,省去外部儲存卡插槽。

    2Gb低功率DDR DRAM,工作電壓1.8V,為手機提供256MB記憶體空間。

    2Gb高速SLC NAND閃存顆粒,256MB空間用來儲存和執行關鍵代碼和應用。

    手機廠商只需要在電路板上安裝這一顆芯片,就可以得到256MB記憶體,256MB高速SLC閃存和16GB MLC閃存,相比之前的多芯片方案最高可節約40%的空間,方便設計出體積小巧,同時性能、功能仍十分強大的新款手機產品。

    美光表示該16GB MCP方案已經開始向包括華碩在內的幾家手機廠商提供樣品,本季度內投入量產。同時,4GB、8GB等容量稍小的堆疊封裝產品則已經開始量產。■

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