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記憶體頻道2月10日] 東芝公司日前宣佈開發出了在非易失性RAM產品中,擁有「全球最大容量」128Mbit,「全球最高速度」1.6GB/s的FeRAM儲存芯片產品。
FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory鐵電RAM)是被業界給予厚望的下一代非易失性RAM技術之一,它以鐵電物質為原材料,將微小的鐵電晶體集成進電容內,通過施加電場,鐵電晶體的電極在兩個穩定態之間轉換,實現資料的寫入與讀取。它擁有非易失性,資料儲存時間長,讀寫速度快,工作電壓低等諸多優勢,從上世紀九十年代就開始投入商業製造,但由於容量方面和動輒以GB計的閃存無法相比,遲遲無法得到廣泛應用。
東芝此次利用自有技術,解決了儲存單元小型化後隨之而來的信號衰減問題,實現了目前業界非易失性RAM的最大容量128Mbit。同時改善內部電源供應,更好的利用FeRAM的低功率高速度特性,實現了比當前非易失性RAM極限速度提高8倍的1.6GB/s。
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東芝宣佈的該款產品僅採用了130nm CMOS工藝製造,儲存單元面積為0.252平方微米,工作電壓1.8V。由於它使用了DDR2接口,因此可以和現有儲存系統兼容,未來將面向手機記憶體、移動PC、固態硬碟等應用領域。東芝表示,將在本周召開的ISSCC國際電路會議上公佈該產品的更多細節。■